【半導體國際連結創新賦能計畫】
氮化鎵GaN擁有比GaAs更快的飽和速度、更大的能帶隙、更高的耐電場和導熱係數等優勢。這些特性使得GaN功率放大器能夠提供比GaAs大幅度增加的輸出功率，或在相同輸出功率下實現更小的晶片面積。因此，GaN功率放大器在軍用雷達、CATV頭端、光纖通信和點對點通信等領域有著廣泛的應用前景。本課程將專注於GaN功率放大器在無線通信中的應用，通過理論介紹和實例分享，旨在讓初學者熟悉GaN功率放大器的設計考量和流程，理解其規格需求、主被動元件技術、設計原理、電路架構等方面的知識。
【政府補助70%】氮化鎵(GaN)射頻功率放大器設計短期主題研習(2024/6/20)
課程與研討會內容介紹
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6/20
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09:30-12:30
1.功率放大器簡介、應用與其操作分類
2. 氮化鎵元件技術與模型
3. 功率放大器設計的負載線方法國立中央大學電機系
邱教授 -
12:30-13:30
午餐
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13:30-16:30
4.功率放大器的設計流程
5. 功率放大器設計的無源元件、功率結合技術、與穩定度考量
6. GaN PA的設計實例:二元功率結合功率放大器、連續模態Class B/J/F功率放大器與多蒂功率放大器(Doherty power amplifier)、WIPD功率放大器國立中央大學電機系
邱教授 -
16:30-16:40
複習&隨堂測驗
報名資訊
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指導單位
經濟部產業發展署
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承辦單位
財團法人資訊工業策進會
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執行單位
社團法人台灣電子設備協會
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課程日期
2024年6月20日
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報名日期
即日起至6月18日，額滿提前截止。
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上課地點
台北市信義區信義路五段5號3樓3F09室(台北世貿一館) （※實際上課地點依行前通知為主）
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課程費用
一般身分補助70%： 每人2,400元整(原價8,000元，政府補助5,600元，學員自付2,400元。)
費用含稅（請勿扣除郵資或手續費）、講義 。 -
補助資格
一、學員任職產業，需符合下列認列資格(擇一)，如不符以下資格，需另填寫「學員認列資格說明書」
1.半導體年鑑名錄
2.經濟部商業司登記（查詢網址：https://findbiz.nat.gov.tw/fts/query/QueryBar/queryInit.do）
(1)CC01080電子零組件製造業
(2)應用IC技術或元件之相關系統業者，包括資訊、通訊、視訊、光電、車用、綠能、醫療、消費性電子產品…等領域相關系統或周邊業者
(3)明確從事IC 設計、製造、封裝、測試、光電半導體(太陽能光電)業務者
3.其他相關業者（以本類範圍認列者，需填寫認列資格說明書）．提供智慧電子相關之專利、智財權、技術顧問服務者，
二.課程當天學員需填寫繳交「學員基本資料表」、「蒐集個人資料告知事項暨個人資料提供同意書」。
三.結訓學員應配合產發署培訓後電訪調查。 -
繳費資訊
費用請勿另扣除郵資及匯兌手續費。
1.電匯或ATM轉帳後，請e-mail 或傳真匯款收執聯或ATM轉帳記錄，並備註報名課程及參加者姓名
►受款帳戶─社團法人台灣電子設備協會(請務必寫全名)
►受款銀行─土地銀行工研院分行 (土銀代碼：005)
►受款帳號─156-001-000951
►備 註─請勿塗改轉出帳號，以利本會對帳核銷 -
退費標準
若欲取消報名， 請於開課前2日以傳真或e-mail告知主辦單位，並電話確認退費事宜，逾期將郵寄講義，恕不退費。 未於期限內申請退費，則不得以任何因素要求退費，惟可轉讓與其他人參訓。
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聯絡人
TEL：02-27293933 ext.17楊小姐, ext.22鄭小姐
FAX：02-27293950
E-mail：vivi@teeia.org.tw、anne@teeia.org.tw
報名截止
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※注意事項
1.本課程經產發署補助，出席率達80%及隨堂測驗平均達60分以上者，本課程培訓後將頒發培訓證書。
2.協會得因不可抗拒因素，保留本培訓班內容及講師異動之權利。
3.因應性別主流化國際趨勢，打造友善職場之發展，歡迎女性學員踴躍報名。
4.上課學員皆需依產發署規定填寫相關資料，且學員出席時數需達報名課程時數八成以上，方可適用產發署補助，若未符合規定者，則需將其政府補助費用繳回。
5.結訓學員應配合產發署培訓後電訪調查。
6.因課前教材、講義之準備及需為您進行退款相關事宜，若您不克前來，請於開課三日前告知，以利行政作業進行並共同愛護資源。
7.若原報名者因故不克參加，但欲更換他人參加，敬請於開課前二日通知。
8.為尊重講師之智慧財產權益，恕無法提供課程電子檔。