氮化鎵GaN因其電晶體具有比GaAs快2-3倍飽和速度、高出2-3倍的能帶隙優勢、高出8-9倍的耐電場與高3倍導熱係數之優勢，使得GaN功率放大器具有GaAs對應的3-5倍輸出功率，或者在相同輸出功率下減小晶片面積。可應用於軍用雷達、CATV頭端、光纖通信、點對點通信，特別是整合成射頻前端模組與應用於電源調制電路，與現有半導體元件相比，特別具有優勢，射頻前端模組普遍應用於4G LTE、5G基地站與LEO酬載與地面站。
本延續課程將著重應用於無線通信的GaN關鍵射頻前端模組設計，課程除包括前期課程之GaN功率放大器單晶積體電路設計外，增加開關器與低雜訊放大器設計，並介紹應用於5G系統之先進GaN線性放大器之高效率的封包追蹤電源調制器電路。
課程與研討會內容介紹
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11/24
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09:30-16:30
1.氮化鎵關鍵射頻前端模組簡介
2.氮化鎵功率放大器設計
3.氮化鎵低雜訊放大器 (low noise amplifier)國立中央大學電機系
邱教授 -
12:30-13:30
午餐
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13:30-16:30
4.氮化鎵功率開關器 (switch)
5.氮化鎵線性放大器之高效率的封包追蹤(envelope tracking)電源調制器電路國立中央大學電機系
邱教授
報名資訊
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指導單位
經濟部產業發展署
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承辦單位
財團法人資訊工業策進會
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執行單位
社團法人台灣電子設備協會
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課程日期
2023年11月24日
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報名日期
即日起11月23日，額滿提前截止。
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上課地點
台北市（※實際上課地點依行前通知為主）
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課程費用
一般身分補助50%： 每人2,000元整（原價NT$４,000，政府補助 NT$２,000，學員自付 NT$２,000）
費用含稅（請勿扣除郵資或手續費）、講義 。 -
繳費資訊
費用請勿另扣除郵資及匯兌手續費。
1.電匯或ATM轉帳後，請e-mail 或傳真匯款收執聯或ATM轉帳記錄，並備註報名課程及參加者姓名
►受款帳戶─社團法人台灣電子設備協會(請務必寫全名)
►受款銀行─土地銀行工研院分行 (土銀代碼：005)
►受款帳號─156-001-000951
►備 註─請勿塗改轉出帳號，以利本會對帳核銷 -
退費標準
若欲取消報名， 請於開課前2日以傳真或e-mail告知主辦單位，並電話確認退費事宜，逾期將郵寄講義，恕不退費。 未於期限內申請退費，則不得以任何因素要求退費，惟可轉讓與其他人參訓。
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聯絡人
TEL：02-27293933 ext.17楊小姐, ext.22鄭小姐
FAX：02-27293950
E-mail：vivi@teeia.org.tw、anne@teeia.org.tw
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