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【工業局補助】高功率高頻氮化鎵半導體技術短期主題研習(2023/8/10)

【智慧電子人才應用發展推動計畫】
本課程將從寬能隙材料的種類介紹，逐步深入介紹氮化鎵半導體元件的工作原理外延生長技術，元件製程，在課程內將引入國內外GaN HEMT在高頻與功率上的關鍵技術及其應用來輔助課程了解，修習本課程學生可以了解寬能隙半導體相關知識以及近年來產業的發展。

課程與研討會內容介紹

  • 8/10

  • 09:30-12:30

    寬能隙化合物半導體製程技術
    1.寬能隙半導體材料,高頻與功率上之應用
    2.GaN半導體元件工作
    3.GaN HEMT製程與關鍵技術

    國立中山大學先進半導體封測研究所
    陳博士

  • 12:30-13:30

    午餐

  • 13:30-16:30

    原子級氣相沉積與蝕刻技術應用於化合物半導體之介紹
    1.原子級氣相沉積與蝕刻技術介紹
    2.化合物半導體材料與元件介紹
    3.原子級氣相沉積與蝕刻技術應用於化合物半導體上

    抱樸科技股份有限公司
    李處長

  • 16:30-16:40

    複習&隨堂測驗

報名資訊

  • 指導單位

    經濟部工業局

  • 承辦單位

    財團法人資訊工業策進會

  • 執行單位

    社團法人台灣電子設備協會

  • 課程日期

    2023年8月10日

  • 報名日期

    即日起8月8日，額滿提前截止。

  • 上課地點

    台北市（※實際上課地點依行前通知為主）

  • 課程費用

    一般身分補助50%： 每人2,000元整（原價NT$４,000，政府補助 NT$２,000，學員自付 NT$２,000）
    費用含稅（請勿扣除郵資或手續費）、講義 。

  • 認列資格

    一、學員任職產業，需符合下列認列資格(擇一)
    1.半導體年鑑名錄
    2.經濟部商業司登記（查詢網址：https://findbiz.nat.gov.tw/fts/query/QueryBar/queryInit.do）
    (1)CC01080電子零組件製造業
    (2)應用IC技術或元件之相關系統業者，包括資訊、通訊、視訊、光電、車用、綠能、醫療、消費性電子產品…等領域相關系統或周邊業者
    (3)明確從事IC 設計、製造、封裝、測試、光電半導體(太陽能光電)業務者
    3.其他相關業者（以本類範圍認列者，需填寫認列資格說明書）．提供智慧電子相關之專利、智財權、技術顧問服務者，
    二.課程當天學員需填寫繳交「學員基本資料表」、「蒐集個人資料告知事項暨個人資料提供同意書」。
    三.結訓學員應配合工業局培訓後電訪調查。

  • 繳費資訊

    費用請勿另扣除郵資及匯兌手續費。
    1.電匯或ATM轉帳後，請e-mail 或傳真匯款收執聯或ATM轉帳記錄，並備註報名課程及參加者姓名
    ►受款帳戶─社團法人台灣電子設備協會(請務必寫全名)
    ►受款銀行─土地銀行工研院分行 (土銀代碼：005)
    ►受款帳號─156-001-000951
    ►備　　註─請勿塗改轉出帳號，以利本會對帳核銷

  • 退費標準

    若欲取消報名， 請於開課前2日以傳真或e-mail告知主辦單位，並電話確認退費事宜，逾期將郵寄講義，恕不退費。 未於期限內申請退費，則不得以任何因素要求退費，惟可轉讓與其他人參訓。

  • 聯絡人

    TEL：02-27293933 ext.17楊小姐, ext.22鄭小姐
    FAX：02-27293950
    E-mail：vivi@teeia.org.tw、anne@teeia.org.tw

※注意事項

1.本課程經工業局補助出席率達80%及隨堂測驗平均達60分以上者，本課程培訓後將頒發培訓證書。
2.協會得因不可抗拒因素，保留本培訓班內容及講師異動之權利。
3.因應性別主流化國際趨勢，打造友善職場之發展，歡迎女性學員踴躍報名。
4.本課程經工業局補助，上課學員皆需依工業局規定填寫相關資料，且學員出席時數需達報名課程時數八成以上，方可適用工業局補助，若未符合規定者，則需將其政府補助費用繳回。
5.結訓學員應配合工業局培訓後電訪調查。
6.因課前教材、講義之準備及需為您進行退款相關事宜，若您不克前來，請於開課三日前告知，以利行政作業進行並共同愛護資源。
7.若原報名者因故不克參加，但欲更換他人參加，敬請於開課前二日通知。
8.為尊重講師之智慧財產權益，恕無法提供課程電子檔。

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