【智慧電子人才應用發展推動計畫】
氮化鎵GaN因其電晶體具有比GaAs快2-3倍飽和速度、高出2-3倍的能帶隙優勢、高出8-9倍的耐電場與高3倍導熱係數之優勢，使得GaN功率放大器具有GaAs對應的3-5倍輸出功率，或者在相同輸出功率下減小晶片面積。可應用於軍用雷達、CATV頭端、光纖通信、點對點通信，特別是4G LTE與5G基地站之功率放大器。
本課程將著重應用於無線通信的GaN功率放大器，課程除介紹理論並分享實務經驗，目的在使初學者熟悉GaN積體電路設計流程，包括規格需求、元件模型、主被動元件技術、設計原理、電路架構與設計實例。
課程與研討會內容介紹
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7/5
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09:30-12:30
1.氮化鎵元件技術與模型
2.功率放大器簡介、應用與其操作分類
3.功率放大器設計的負載線方法國立中央大學電機系
邱特聘教授 -
12:30-13:30
午餐
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13:30~16:30
4.功率放大器的設計流程
5.功率放大器設計的無源元件、功率結合技術、與穩定度考量
6.GaN PA的設計實例:連續模式操作與多蒂功率放大器國立中央大學電機系
邱特聘教授 -
16:30-16:40
複習&隨堂測驗
報名資訊
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指導單位
經濟部工業局
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承辦單位
財團法人資訊工業策進會
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執行單位
社團法人台灣電子設備協會
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課程日期
2023年7月5日
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報名日期
即日起至6月30日，額滿提前截止。
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上課地點
台北市大安區復興南路二段237號4樓中教室 (鄰近捷運科技大樓站旁BR6科技大樓)（※實際上課地點依行前通知為主）
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課程費用
一般身分補助50%： 每人2,000元整（原價NT$４,000，政府補助 NT$２,000，學員自付 NT$２,000）
費用含稅（請勿扣除郵資或手續費）、講義 。 -
認列資格
一、學員任職產業，需符合下列認列資格(擇一)
1.半導體年鑑名錄
2.經濟部商業司登記（查詢網址：https://findbiz.nat.gov.tw/fts/query/QueryBar/queryInit.do）
(1)CC01080電子零組件製造業
(2)應用IC技術或元件之相關系統業者，包括資訊、通訊、視訊、光電、車用、綠能、醫療、消費性電子產品…等領域相關系統或周邊業者
(3)明確從事IC 設計、製造、封裝、測試、光電半導體(太陽能光電)業務者
3.其他相關業者（以本類範圍認列者，需填寫認列資格說明書）．提供智慧電子相關之專利、智財權、技術顧問服務者，
二.課程當天學員需填寫繳交「學員基本資料表」、「蒐集個人資料告知事項暨個人資料提供同意書」。
三.結訓學員應配合工業局培訓後電訪調查。 -
繳費資訊
費用請勿另扣除郵資及匯兌手續費。
1.電匯或ATM轉帳後，請e-mail 或傳真匯款收執聯或ATM轉帳記錄，並備註報名課程及參加者姓名
►受款帳戶─社團法人台灣電子設備協會(請務必寫全名)
►受款銀行─土地銀行工研院分行 (土銀代碼：005)
►受款帳號─156-001-000951
►備 註─請勿塗改轉出帳號，以利本會對帳核銷 -
退費標準
若欲取消報名， 請於開課前2日以傳真或e-mail告知主辦單位，並電話確認退費事宜，逾期將郵寄講義，恕不退費。 未於期限內申請退費，則不得以任何因素要求退費，惟可轉讓與其他人參訓。
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聯絡人
TEL：02-27293933 ext.17楊小姐, ext.22鄭小姐
FAX：02-27293950
E-mail：vivi@teeia.org.tw、anne@teeia.org.tw
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