
Micro LED對於微米級缺陷的承受能力相當低,因為轉移和修復技術非常昂貴。為了減輕對成本和工廠產量的不利影響,Micro LED檢測要求要高得多。可能需要亞微米級別的靈敏度,以確保沒有缺陷漏網。與mini LED相比,檢測步驟也可能更多,以確保所有系統缺陷都被識別並根除。因此,晶圓經過其他技術步驟,例如光刻、蝕刻和清潔,這可能增加系統和隨機缺陷。諸如形成不良的發射區域、表面顆粒等缺陷對於LED效率都有直接影響,導致暗淡或失效畫素。需要捕獲這些缺陷並對其進行分類,以便通過相關性統計和缺陷源分析來確定它們與良率之間的相關性,並且降低它們的密度。